Andor 的(de)(de) iDus InGaAs 2.2 陣列(lie)探(tan)測器系(xi)列(lie)為高達 2.2 µm 的(de)(de)光譜應(ying)用(yong)提供了優化的(de)(de)平臺。 TE 冷卻的(de)(de)真空傳感器達到 -90°C 的(de)(de)冷卻溫度(du),可以(yi)實(shi)現更合適(shi)(shi)的(de)(de)信(xin)噪(zao)比(bi)。實(shi)際上,在(zai)場景黑體輻射占主(zhu)要(yao)地(di)位的(de)(de) -90°C 以(yi)下,暗(an)電流將(jiang)適(shi)(shi)度(du)改善(shan),而傳感器的(de)(de)量(liang)子(zi)效率將(jiang)在(zai)這些較低溫度(du)下受到很大影響,并導(dao)致較低的(de)(de)信(xin)噪(zao)比(bi)。
高檢測器靈敏度
無 LN2 不(bu)便(bian)的暗電流可(ke)忽略不(bu)計
真空完整(zheng)性,對深度冷卻和傳感器(qi)性能至(zhi)關(guan)重要(yao)
提供大的光子通量
高分辨率近(jin)紅(hong)外(wai)光譜的理想選(xuan)擇
USB 即插即用 - 無控制器(qi)盒。
輸入和輸出:外部觸發、火警和快門 TTL 易于訪(fang)問。
允許用戶通過選(xuan)擇高(gao)動態(tai)范圍 (HDR) 或高(gao)靈敏度 (HS) 操(cao)作(zuo)模式來優化操(cao)作(zuo)
為具有合理信號電平的應用提供更(geng)高的時間(jian)分辨率和更(geng)小的暗電流貢(gong)獻
平臺完全集成到 EPICS 控制軟(ruan)件(jian)中