Lumentum APD 芯片是一種基于(yu)磷(lin)化(hua)銦 (InP) 的器件,設計用(yong)于(yu)高達(da) 11.3 Gbps 的高性(xing)能電信(xin)接收器應(ying)用(yong)。 通過提供(gong) 30 μm 孔(kong)徑的環(huan)形觸點(dian),通過中央有(you)源(yuan)區的頂(ding)部(bu)照明接收光(guang)信(xin)號。
P(陽(yang)極)和 N(陰極)觸(chu)點在(zai)有源(yuan)區上施加反向電偏(pian)壓。 圓形 P 鍵合焊(han)盤的直徑為 70 微米,適用于引線鍵合。
APD 適用于以 M3 和 M10 之間的倍(bei)增(zeng)增(zeng)益(yi)因子以高達(da) 11.3 Gbps 的速度(du)運行。
性能通過包括 DC、CV 和 AC 測(ce)試測(ce)量的(de)晶圓測(ce)試來檢查。
<1FIT 的可靠性源(yuan)自超(chao)過 400 億個現場(chang)小(xiao)時。
Telcordia ESD 等級:min. 500 V型(xing)號。
擊穿電壓(在黑暗中,Id=10 µA)Vbr:-26…-32 V
暗電流(在黑暗中(zhong),Vbr * 0.9) Id9:50 毫安(an)
3dB 帶寬,M=10(10 µW 入射 1550 nm,I=100 µA)BWM10 :6.0 GHz
3dB 帶寬,M=3(10 µW 入射 1550 nm,I=30 µA)BWM3:6.0 GHz
響(xiang)應度(du) (10 µW,1550 nm)R:1.0 A/W
在固(gu)定電壓下((VM3 和 VM10,Popt = 10µW,λ=1550 nm)1610 nm 時(shi)的電流比
)R1610/R1550:0.75
1300 nm 與 1550 nm 的響應率(lv)比(在固定電壓下(VM3 和(he) VM10,Popt =10 µW, λ=1550 nm) 時的電流比)R1300/R1550:0.70
Vbr 溫度系數(-40 至 +85°C)dVbr/dT:0.040 …0.061 Vdeg-1
總(zong)電容(At Vbr * 0.9)C:0.22…0.25 pF
光過載(zai)(M3)Povld:-2 dBm
長途網絡
單模數據通信和電信
10G PON