多(duo)年(nian)來(lai),IsoNanotubes-S 半導體(ti)產品已成功應用(yong)(yong)于眾多(duo)科研工作中(zhong)。IsoNanotubes-S 材料的主要用(yong)(yong)途是制(zhi)造薄膜晶體(ti)管。由(you)于 IsoNanotubes-S 具有很(hen)高的單壁納米(mi)管純度(du)、長度(du)、原始表面和半導體(ti)特性,這種材料已被證明(ming)可用(yong)(yong)于氣(qi)體(ti)檢測(ce)、溫度(du)傳感、CMOS 電(dian)路(lu)創建等應用(yong)(yong),并為開發新(xin)的、令人興奮的技(ji)術進步(bu)奠(dian)定了基礎。
產地:加拿大
納米管類型:電(dian)弧放電(dian)
直徑(jing)范圍(wei):1.2-1.7nm
平(ping)均直(zhi)徑:1.4nm
長(chang)度范圍:100 nm-4μm
平均長度:~1micron
催化(hua)劑雜質(zhi)(zhi):~1% 質(zhi)(zhi)量百(bai)分比
碳雜質(zhi):<5% 質(zhi)量百分(fen)比(bi)
半導體碳納米管(guan)含(han)量:90%,95%,98%,or99+%
金屬 CNT 含量:n/a
保質期:6 個月
納米管濃度:0.01mg/mL
表面活(huo)性劑濃度:1% w/v
表面(mian)活性(xing)劑(ji)類型:lonic