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HC PhotonicsPPLN波導芯片WG-B

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產品介紹

可以在周(zhou)期(qi)性(xing)極化(hua)(hua)晶(jing)體(ti)上制造波(bo)導(dao),形(xing)成(cheng)頻率(lv)轉換(huan)波(bo)導(dao),如(ru) PPLN 塊狀(zhuang)晶(jing)體(ti)中的 PPLN 波(bo)導(dao)。PPLN 塊狀(zhuang)芯(xin)(xin)片(pian)易于使用,可處(chu)理更(geng)高(gao)的光功率(lv)(高(gao)達幾瓦(wa)特或更(geng)高(gao));PPLN 波(bo)導(dao)芯(xin)(xin)片(pian)可提供更(geng)高(gao)的轉換(huan)效率(lv),因此可實(shi)現 PPLN 塊狀(zhuang)芯(xin)(xin)片(pian)無法實(shi)現的多種應用(盡管在功率(lv)處(chu)理方面存在限(xian)制,在耦合優化(hua)(hua)的實(shi)際對(dui)準方面也具有挑(tiao)戰(zhan)性(xing))。

性能特點
  • 為您的“快速插入式 ”非線性混頻應用提供標準庫存
  • 可用于上變頻(SHG/SFG)和下變頻(DFG/OPA/OPG)混頻配置
  • 可用于可見光到中紅外發生器;如需紫外和太赫茲發生器
  • 可用于均勻或啁啾 QPM 結構
技術參數

產地:中國臺灣

泵 λ:900-1000 nm

輸出(chu) λ:450-500 nm

MFD:4.90x4.09um^2

數值孔徑:0.13x0.15

傳播損耗:0.9 (0.7) dB/cm

歸一化效率(lv):160%/W/cm^2(250%/W/cm^2)%/W/cm^2

溫度斜率:~13?C/nm

內核:LiNbO3

波導類型:質(zhi)子內擴散(san)波導、脊波導

塊狀晶體:PPLN

產品參數

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