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產品介紹
這(zhe)些緊湊且調制(zhi)率高的頂發(fa)射(she)GaAs基垂(chui)直腔表(biao)面(mian)發(fa)射(she)激光器（VCSEL）芯片可作為(wei)工程樣(yang)品用于開發(fa)和評(ping)估光學(xue)互連、光學(xue)背(bei)板和集成(cheng)波導以及(ji)下一代光學(xue)數據通信系統(tong)。VCSEL使(shi)用地(di)源-地(di)（GSG）微探針或引線鍵(jian)合在頂表(biao)面(mian)上單獨接觸。
性能特點
- 高達112 Gbit/s（PAM-4調制）
- 單芯片尺寸250 x 250µm
- 適用于引線鍵合
技術參數
產地：德國
發射波(bo)長(chang)：850 nm（范圍(wei)840–860 nm）
數據速率(lv)：高(gao)達(da)112 Gbit/s
閾值電流(liu)：<0.6 mA
峰值(zhi)輸出(chu)功率：~4 mW
峰(feng)值(zhi)正向(xiang)電流(liu)：8mA
反向電(dian)壓：max.5V
工作溫度(du)：85°C
儲存溫度：-40…100°C
焊接(jie)溫度：150°C
VCSEL間(jian)距：250µm
數(shu)據(ju)速率：max.56 GBaud/s
光(guang)學帶(dai)寬：max.30 GHz
斜坡效率：max.0.5 W/A
閾值電流：max.0.6 mA
差動(dong)電阻(zu)：max.70?
光(guang)束發散度(du)：30°
峰值輸出功率：4 mW
光譜帶寬（RMS）：max.0.65 nm
長度(du)：max.250µm
高度(du)：140…160µm
寬(kuan)度：max.250µm
產品尺寸
產品應用
SWDM中的200G/400G
專有光互連
有源光纜（AOC）
產品參數
