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E2V芯片DDR4

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  • 品牌名稱：E2V
  • 規格型號：DDR4
產品介紹

DDR4理想(xiang)的伴侶芯片，適用(yong)于處(chu)理器、FPGA、SiP解決(jue)方案(an)等太空級設備…4/8GB耐輻射(she)DDR4內存多芯片封(feng)裝(zhuang)（MCP）是一種(zhong)高密度內存解決(jue)方案(an)，針對空間嵌入式系(xi)統和應用(yong)。

這(zhe)種空間級DDR4內存(cun)能夠(gou)提(ti)高性能，同時占(zhan)用小的(de)(de)板(ban)載空間——這(zhe)在高度空間限(xian)制(zhi)、密(mi)集(ji)的(de)(de)衛星設(she)計(ji)中肯定是有(you)價(jia)值的(de)(de)。它可(ke)以與具有(you)DDR4控制(zhi)器(qi)的(de)(de)處(chu)(chu)理(li)(li)器(qi)和(he)FPGA結合使用，也可(ke)以嵌入Teledyne e2v Space版本的(de)(de)Qormino通(tong)用計(ji)算平(ping)臺以及(ji)Space版本的(de)(de)LS1046四核處(chu)(chu)理(li)(li)器(qi)（QLS1046-4GB）。與DDR4內存(cun)一(yi)起，提(ti)供了一(yi)個完整的(de)(de)輻射和(he)應用數據包(bao)，使設(she)計(ji)師能夠(gou)快速開(kai)發他(ta)們的(de)(de)板(ban)，風險(xian)小。

性能特點
  • 非常小的占地面積：與使用分立組件相比，節省了板空間。
  • 每立方英寸存儲容量非常高。
  • 每立方英尺存儲帶寬非常高。
  • 堅固耐用：焊接PBGA。
  • 高信號完整性。
  • 8毫米間距：無引線和有引線球選項。
  • 適用于需要Mil Temp范圍、小形狀因數、非密封操作的高可靠性和空間應用。
選型指南

技術參數

產地：英國

密度：4GB/8GB

總線寬度(du)：72位（64位數據+8位ECC）

速(su)度：高(gao)達2400 MT/s

模塊尺寸：15 mm x 20 mm x 1.92 mm

焊球數量：391

間距：0.8 mm

SEL-LET閾值(zhi)：>60.88 MeV.cm²/mg

TID公差(cha)：100 krad（Si）

質子：可(ke)獲得高達(da)190MeV的數(shu)據

可編(bian)程CAS延遲：13,15,16,17,19

復位：異步

兼(jian)容封裝：SnPb和RoHS

重量：1.2 g+/-0.1 g

 

產品參數

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