TopGaN 正在制造發射光譜范圍從 400nm 到 461nm 的激光二極管,精度為 +/-2nm。也可根據需要提供 +/-1nm 的精度。這些器件采用 5.6 mm (TO-56) 封裝的可見光和紫外激光二極管,氮化藍紫色激光二極管的工作電流密度相對較高,為 5-10 kA/cm2。這(zhe)些二極管的(de)衰減主要是通(tong)過其(qi)閾值(zhi)電流的(de)增加而發生的(de)。
光學(xue)輸出功(gong)率:50mW(Tcase= 20°C)
峰(feng)值波長:418 +/- 2 nm @RT
用于 Cw 和脈沖(chong)操作(zuo)的輻射源(yuan)
單(dan)橫(heng)向模式半導體激光器
產地:波蘭
允許反向電流:1 uA
PD 反向電壓:5 V
存儲(chu)溫度:- 10 至(zhi) 85 °C
工作(zuo)外殼溫度:0 至(zhi) 60 °C
光輸出功率:50 mW
峰(feng)值波(bo)長:418 +/-2 nm
閾值電流(liu):30 至(zhi) 60 mA
工作電(dian)流:90 至 130 mA
溫度波長偏(pian)移:0.05 nm/deg
光(guang)束發散 - 快軸:32 °
光(guang)束發散 - 慢軸:7 °
量子技術和傳感應用