Amptek將(jiang)硅片制造(zao)引入內部,并改進了工藝。其結果(guo)是探測器(qi)具有更(geng)(geng)低的噪(zao)聲、更(geng)(geng)低的泄漏(lou)電流、更(geng)(geng)好的電荷收集以及(ji)探測器(qi)之間的均(jun)勻性(xing)。這使(shi)其成為性(xing)能更(geng)(geng)好的硅漂移(yi)探測器(qi)。
FAST SDD代表Amptek高性能的硅漂移檢(jian)測器(SDD),能夠在保持(chi)分辨率的同時(shi),計(ji)數率超(chao)過1000000 CPS(每(mei)秒(miao)計(ji)數)。FAST SDD還可與C系列(lie)(Si3N4)低能窗一起使用,用于軟x射線分析。
與(yu)傳(chuan)統(tong)(tong)SDD不同,FAST SDD在(zai)密封的(de)(de)(de)(de)TO-8封裝內使用(yong)結(jie)柵場效應晶(jing)體(ti)(ti)管(JFET)和外(wai)部前置(zhi)放(fang)大(da)器(qi),在(zai)TO-8封裝內部使用(yong)互(hu)補的(de)(de)(de)(de)金屬(shu)氧化物(wu)半導體(ti)(ti)(CMOS)前置(zhi)放(fang)大(da)器(qi),并(bing)用(yong)金屬(shu)氧化物(wu)半導體(ti)(ti)場效應管(MOSFET)代(dai)替(ti)JFET。這降(jiang)低(di)了(le)電(dian)容,提(ti)供了(le)更(geng)(geng)低(di)的(de)(de)(de)(de)串聯噪聲,并(bing)在(zai)極短的(de)(de)(de)(de)峰(feng)值時間(jian)內提(ti)高(gao)了(le)分辨率(lv)(lv)(lv)。FAST SDD使用(yong)相同的(de)(de)(de)(de)檢測(ce)器(qi),但前置(zhi)放(fang)大(da)器(qi)在(zai)短峰(feng)值時間(jian)內提(ti)供較低(di)的(de)(de)(de)(de)噪聲。改進的(de)(de)(de)(de)(較低(di)的(de)(de)(de)(de))分辨率(lv)(lv)(lv)能(neng)夠(gou)隔離(li)/分離(li)具有(you)接(jie)近能(neng)量(liang)值的(de)(de)(de)(de)熒光(guang)X射(she)線,否(fou)則(ze)峰(feng)值將(jiang)重疊,從而(er)允(yun)許用(yong)戶更(geng)(geng)好(hao)地識別其樣品中的(de)(de)(de)(de)所有(you)元素。峰(feng)值時間(jian)短也會提(ti)高(gao)計數(shu)(shu)率(lv)(lv)(lv);更(geng)(geng)多的(de)(de)(de)(de)計數(shu)(shu)提(ti)供更(geng)(geng)好(hao)的(de)(de)(de)(de)統(tong)(tong)計數(shu)(shu)據。
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