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用(yong)于硅晶片的全光(guang)學非接觸(chu)式厚度傳感器(qi)
高動態范圍(wei)，能夠測量混亂的表面
能夠在濕(shi)蝕(shi)刻過程(cheng)中進行原(yuan)位(wei)測(ce)量(liang)
SIT-200使用高(gao)速掃(sao)頻可(ke)(ke)調(diao)激光(guang)器（而不是寬(kuan)帶光(guang)源(yuan)）來探測(ce)(ce)(ce)(ce)被(bei)測(ce)(ce)(ce)(ce)晶片。這樣就可(ke)(ke)以對每個波長進(jin)(jin)行更高(gao)功率的(de)測(ce)(ce)(ce)(ce)量(liang)，從而實現高(gao)動態(tai)范圍。即使在(zai)(zai)未拋光(guang)的(de)晶片上，例如在(zai)(zai)濕(shi)蝕(shi)刻期間/之后，也(ye)可(ke)(ke)以進(jin)(jin)行厚度測(ce)(ce)(ce)(ce)量(liang)。硅晶圓厚度傳感(gan)器由精(jing)確調(diao)諧的(de)波長掃(sao)描激光(guang)源(yuan)，聚焦傳感(gan)器和光(guang)接收器（PD）構成。波長掃(sao)描光(guang)聚焦在(zai)(zai)目標上，并且在(zai)(zai)通過傳感(gan)器后，PD會檢測(ce)(ce)(ce)(ce)到(dao)從目標表面反射(she)回(hui)來的(de)干涉圖樣。
測量對象：硅片
可(ke)測厚度：10~500（n = 3.5）μm
光(guang)(guang)源(yuan)：波長掃(sao)描(miao)激光(guang)(guang)源(yuan)
（1515~1585）nm
光輸出(chu)功(gong)率：0.6，激(ji)光等(deng)級1 mW
引(yin)導光源：紅色LD，激光等級1M
測量時間：min.20 ms
重復性：小(xiao)于0.1（3σ）μm
監控輸出：干擾信號（電氣）
PC接口：以太網
電源：AC 100-240（50/60 Hz）V
尺寸（寬x高x深）：364 x 147 x 391 mm
重量：9.0 kg
